VBM1302
1个N沟道 耐压:30V 电流:140A
- SMT扩展库
- 嘉立创SMT补贴
描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单体N沟道场效应管,采用Trench工艺,适用于电源开关模块、汽车电子模块、工业自动化控制模块等领域。TO220;N—Channel沟道,30V;140A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBM1302商品编号
C481008商品封装
ITO-220AB-3包装方式
管装
商品毛重
2.72克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 140A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.1mΩ@10V,140A | |
功率(Pd) | 250W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
梯度价格
嘉立创贴片惊喜价格立即查看
梯度
售价
折合1管
1+¥4.23
10+¥3.54
50+¥2.82¥141
100+¥2.47¥123.5
500+¥2.27¥113.5
1000+¥2.17¥108.5
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
0
江苏仓
6
SMT仓
0
购买数量(50个/管,最小起订量 1 个 )
个
起订量:1 个50个/管
近期成交0单
精选推荐