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VBM1302

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:30V 电流:140A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    台积电流片,长电科技封装;是一款单体N沟道场效应管,采用Trench工艺,适用于电源开关模块、汽车电子模块、工业自动化控制模块等领域。TO220;N—Channel沟道,30V;140A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;

  • 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
  • 商品型号

    VBM1302
  • 商品编号

    C481008
  • 商品封装

    ITO-220AB-3
  • 包装方式

    管装

  • 商品毛重

    2.72克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)140A
属性参数值
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.1mΩ@10V,140A
功率(Pd)250W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA

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