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VBM1151N
1个N沟道 耐压:150V 电流:100A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N沟道场效应管，采用了Trench技术，适用于多种领域和模块。TO220；N—Channel沟道,150V；100A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM1151N
- 商品编号
- C481000
- 商品封装
- ITO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.87克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.425nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 535pF |
商品特性
- 雷电功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源-不间断电源-交流/直流开关电源-照明-同步整流-直流/直流转换器-电机驱动开关-直流/交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器