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VBE2104N
1个P沟道 耐压:100V 电流:40A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于多个领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-100V；-40A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE2104N
- 商品编号
- C480954
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V；37mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.433nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 208pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 301pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC