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VBE5638
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:35A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款N+P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于多种电子应用。具有双通道设计，可在电路中提供灵活的功率控制。TO252-4；N+P—Channel沟道,±60V；35/-19A；RDS(ON)=30/50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE5638
- 商品编号
- C480958
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V；60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A；19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V；50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA；3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC；8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@15V；1.18nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 79pF@15V；60pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
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