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VBFB1405
1个N沟道 耐压:40V 电流:85A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用Trench技术，适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域。TO251,N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBFB1405
- 商品编号
- C480967
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.608克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,85A | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.38nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个80个/管
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