VBFB1410
1个N沟道 耐压:40V 电流:55A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于中功率和中电压的场合,可广泛应用于各种电子设备和模块中。TO251;N—Channel沟道,40V;55A;RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBFB1410商品编号
C480968商品封装
TO-251包装方式
管装
商品毛重
0.582克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
连续漏极电流(Id) | 55A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 13mΩ@10V,55A | |
功率(Pd) | 55.5W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
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