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VBFB1410
1个N沟道 耐压:40V 电流:55A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于中功率和中电压的场合，可广泛应用于各种电子设备和模块中。TO251；N—Channel沟道,40V；55A；RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBFB1410
- 商品编号
- C480968
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.582克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,22A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- VBmos®沟槽单元
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 电源
- 次级同步整流
- DC/DC转换器