VBE1302
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单体N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于汽车电子、电池管理和电源逆变等需要高功率和高性能的应用场合。TO252；N—Channel沟道,30V；120A；RDS(ON)=2.3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE1302
- 商品编号
- C480950
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V,38.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 6.201nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 970pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
梯度价格
梯度
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原价
折合1圆盘
1+￥5.8225￥6.85
10+￥4.743￥5.58
30+￥4.199￥4.94
100+￥3.6635￥4.31
500+￥2.975￥3.5
1000+￥2.805￥3.3￥8250
优惠活动
库存总量
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149
江苏仓
68
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个 )个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交42单
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