VBE1302
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单体N沟道MOSFET,采用Trench技术,适用于汽车电子、电池管理和电源逆变等需要高功率和高性能的应用场合。TO252;N—Channel沟道,30V;120A;RDS(ON)=2.3mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBE1302商品编号
C480950商品封装
TO-252-2包装方式
编带
商品毛重
2.36克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 120A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.3mΩ@10V,38.8A | |
功率(Pd) | 250W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
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