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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PTD12N10

100V/12A N沟道先进功率MOSFET

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描述
特性:VDS = 100V,ID = 12A,RDS(ON) < 140mΩ @ VGS = 10V (Typ:90mΩ)。 高UIS且UIS 100%测试。应用:电源开关应用。 电机控制
品牌名称
PUOLOP(迪浦)
商品型号
PTD12N10
商品编号
C479049
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.465克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)90V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))90mΩ@10V,4.5A
耗散功率(Pd)24W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)4.3nC@10V
输入电容(Ciss)208pF@50V
反向传输电容(Crss)1.6pF@50V
工作温度-55℃~+175℃

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(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个2500个/圆盘

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