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PTD20N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- PTD20N06采用沟槽工艺技术设计，可实现极低的导通电阻。该设计的其他特性包括能够在高结温下工作、开关速度快以及重复雪崩额定值有所提高。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效且可靠的器件，适用于电机应用及多种其他应用场景
- 品牌名称
- PUOLOP(迪浦)
- 商品型号
- PTD20N06
- 商品编号
- C479052
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.464克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单
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