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AO3416
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于用作负载开关或PWM应用，具有ESD保护功能。
- 品牌名称
- PUOLOP(迪浦)
- 商品型号
- AO3416
- 商品编号
- C479060
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@2.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO3416采用先进的沟槽技术，具有出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 6 A
- VGS = 2.5 V时，RDS(ON) < 26 mΩ
- VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 22 mΩ
- ESD等级：2000V HBM
- 高功率和电流处理能力
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用-负载开关