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PTS4803
2个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 特性：低RDS(on)@VGS =-5V。 5V逻辑电平控制。 双P沟道SOP8封装。 无铅，符合RoHS标准。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- PUOLOP(迪浦)
- 商品型号
- PTS4803
- 商品编号
- C478985
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.195克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@2.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@15V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用安森美半导体（onsemi）先进的POWERTRENCH工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 栅源电压为 -10 V、漏极电流为 -7.9 A 时，最大漏源导通电阻为 22 mΩ
- 栅源电压为 -6 V、漏极电流为 -5.9 A 时，最大漏源导通电阻为 30 mΩ
- 极低的导通电阻（RDS-on）中压P沟道硅技术，针对低栅极电荷（Qg）进行了优化
- 本产品针对快速开关应用和负载开关应用进行了优化
- 经过100%单脉冲雪崩耐量（UIL）测试
- 该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准
应用领域
-有源钳位开关-负载开关