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PTD60N02实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PTD60N02

1个N沟道 耐压:20V 电流:60A

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描述
PTD60N02采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
品牌名称
PUOLOP(迪浦)
商品型号
PTD60N02
商品编号
C479045
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.467克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)60W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))500mV
栅极电荷量(Qg)27nC@10V
输入电容(Ciss)2nF
反向传输电容(Crss)200pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • VDS = 20V ID = 60A
  • RDS(ON) < 6 m Ω @ VGS = 4.5 V

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源
  • TO - 252

数据手册PDF