PTD60N02
1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- PTD60N02采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- PUOLOP(迪浦)
- 商品型号
- PTD60N02
- 商品编号
- C479045
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.467克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- VDS = 20V ID = 60A
- RDS(ON) < 6 m Ω @ VGS = 4.5 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- TO - 252
