温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PTD50N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- PTD50N06采用沟槽工艺技术设计，可实现极低的导通电阻。该设计的其他特性包括可在高结温下工作、开关速度快以及重复雪崩额定值得到改善。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效可靠的器件，适用于电机应用及多种其他应用
- 品牌名称
- PUOLOP(迪浦)
- 商品型号
- PTD50N06
- 商品编号
- C479046
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.468克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
PTD50N06采用沟槽工艺技术设计，可实现极低的导通电阻。该设计的其他特性包括能够在高结温下工作、开关速度快以及重复雪崩额定值得到提升。这些特性相结合，使该设计成为适用于电机应用和各种其他应用的高效可靠器件。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 允许在最高结温下进行重复雪崩
- 无铅，符合RoHS标准