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G2026
单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
- 描述
- G2026是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。采用SOIC8封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- G2026
- 商品编号
- C46473161
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.220725克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.5A | |
| 拉电流(IOH) | 1.2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 10.5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 60ns | |
| 下降时间(tf) | 40ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 230uA |