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G2026
单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
- 描述
- G2026是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。采用SOIC8封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- G2026
- 商品编号
- C46473161
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.220725克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.5A | |
| 拉电流(IOH) | 1.2A | |
| 工作电压 | 10.5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 60ns | |
| 下降时间(tf) | 40ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 230uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
G2026是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具备独立的高侧和低侧参考输出通道。该芯片采用高低压兼容工艺，实现了高、低侧栅驱动电路的单芯片集成。其逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出级具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。G2026采用SOIC8封装，可在-40℃ ~ 125℃温度范围内工作。
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为+250V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- dV/dt耐受能力可达±50V/ns
- Vs负偏压能力达-10V
- 栅极驱动电压范围10.5V ~ 20V
- 防直通死区逻辑，死区时间设定为250ns
- 芯片传输延时特性：开通/关断传输延时Ton/Toff = 380ns/140ns，延迟匹配时间为50ns
- 宽温度范围-40℃ ~ 125℃
- 输出级拉电流/灌电流能力1.2A/1.5A
- 符合RoHS标准
- SOIC8封装
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 微型逆变器驱动