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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NSG1040

全桥栅极驱动芯片

描述
NSG1040是一款全桥高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达100V,该浮动通道需要额外的自举电路支持。另外,高侧与低侧均包含有欠压保护功能。NSG1040为SOP14封装,可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。
商品型号
NSG1040
商品编号
C46473172
商品封装
SOP-14​
包装方式
编带
商品毛重
0.14克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置全桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)1.5A
拉电流(IOH)1.2A
工作电压5V~20V
上升时间(tr)30ns
下降时间(tf)30ns
属性参数值
传播延迟 tpLH150ns
传播延迟 tpHL120ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)-
输入低电平(VIL)-
静态电流(Iq)500uA
功能特性交错导通保护;死区时间控制

商品概述

一款高压、高速功率全桥MOSFET栅极驱动芯片,具备两个独立通道,每个通道提供两路输出,分别用于控制高侧和低侧功率管的栅极。其逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出级具备大电流脉冲能力,并集成了防直通死区逻辑。该芯片的浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达100V。采用SOP14封装,工作温度范围为-40~125°C。

商品特性

  • 支持自举工作的浮地通道
  • 最高工作电压为+100V
  • 兼容3.3V/5V输入逻辑
  • dVS/dt耐受能力可达±50 V/ns
  • Vs负偏压能力达-9V
  • 栅极驱动电压范围5V至20V
  • 高、低侧均配备欠压锁定电路
  • 欠压锁定正向阈值4.5V
  • 欠压锁定负向阈值4.3V
  • 集成防直通死区逻辑
  • 死区时间设定为200ns
  • 开通传输延迟150ns,关断传输延迟120ns
  • 延迟匹配时间小于50ns
  • 宽工作温度范围:-40~125°C
  • 输出级拉电流能力1.2A,灌电流能力1.5A
  • 符合RoHS标准
  • 采用SOP14封装

应用领域

  • 电机控制
  • 空调/洗衣机
  • 通用逆变器
  • 微型逆变器驱动

数据手册PDF