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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NSG2153DP

自振荡半桥MOSFET/IGBT驱动芯片

描述
NSG2153(1)DP 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器,能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)DP 的 CT 端在低电压(1/6thVCC)时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时,NSG2153(1)DP 会将 CT 端电压拉低,同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)DP 具有很强的输出驱动能力,输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)DP 内置死区逻辑,防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外,NSG2153(1)DP 集成有自举二极管,用于对高侧进行自举充电。
商品型号
NSG2153DP
商品编号
C46473162
商品封装
DIP-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.849656克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数2
灌电流(IOL)1.5A
拉电流(IOH)1.2A
属性参数值
工作电压12.5V~15.6V
上升时间(tr)60ns
下降时间(tf)50ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
静态电流(Iq)300uA

数据手册PDF