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NSG2153DP
自振荡半桥MOSFET/IGBT驱动芯片
- 描述
- NSG2153(1)DP 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)DP 的 CT 端在低电压（1/6thVCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)DP 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)DP 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)DP 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)DP 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- NSG2153DP
- 商品编号
- C46473162
- 商品封装
- DIP-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.849656克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.5A | |
| 拉电流(IOH) | 1.2A | |
| 工作电压 | 12.5V~15.6V | |
| 上升时间(tr) | 60ns | |
| 下降时间(tf) | 50ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 300uA | |
| 功能特性 | 使能关断；内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
该器件是一款集成了50%占空比振荡器的600V半桥栅极驱动器，能够驱动N型MOSFET或IGBT。其CT引脚在低电压（约VCC的1/6）时可同时关断高侧和低侧输出。当VCC电压低于欠压锁定阈值时，该器件会将CT引脚电压拉低并关闭所有输出。它具备强大的输出驱动能力，拉电流和灌电流脉冲峰值分别可达+1.2A和-1.5A。器件内部集成了死区时间逻辑，可防止高侧和低侧功率开关管发生直通。此外，它还内置了自举二极管，用于为高侧驱动电路供电。
商品特性
- 集成50%占空比振荡器和半桥驱动器
- 可通过CT和RT引脚编程的振荡器
- VCC至COM引脚间具有15.6V齐纳钳位
- 微功耗启动
- CT引脚非锁定关断（阈值约为VCC的1/6）
- 半桥浮地通道最高工作电压为+600V
- 对dV/dt的耐受能力可达±50V/ns
- Vs引脚负偏压能力达-9V
- 欠压锁定阈值（上升/下降）：VCC为11V/9V，VBS为9V/8V
- 输出拉电流/灌电流能力为+1.2A/-1.5A
- 内置死区时间：NSG2153DP为1.1μs，NSG21531DP为0.6μs
- 集成自举二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机控制与驱动
- 机器人及自动化
- 电动工具