GT40QR21(STA1,E,D
1.2kV 40A
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- 描述
- 特性:第6.5代。 RC-IGBT由一个在IGBT芯片中单片集成的续流二极管组成。 增强模式。 高速开关 IGBT:tf = 0.20 μs(典型值)(IC = 40 A) FWD:trr = 0.60 μs(典型值)(IF = 15 A)。 低饱和电压:VCE(sat) = 1.9V(典型值)(IC = 40A)。 高结温:TJ = 175℃(最大值)。应用:专用于电压谐振逆变器开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- GT40QR21(STA1,E,D
- 商品编号
- C4153791
- 商品封装
- TO-3P-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 80A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.7V@40A,15V | |
| 输入电容(Cies) | 1.5nF | |
| 关断损耗(Eoff) | 160uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 600ns |
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