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GT40QR21(STA1,E,D

1.2kV 40A

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描述
特性:第6.5代。 RC-IGBT由一个在IGBT芯片中单片集成的续流二极管组成。 增强模式。 高速开关 IGBT:tf = 0.20 μs(典型值)(IC = 40 A) FWD:trr = 0.60 μs(典型值)(IF = 15 A)。 低饱和电压:VCE(sat) = 1.9V(典型值)(IC = 40A)。 高结温:TJ = 175℃(最大值)。应用:专用于电压谐振逆变器开关应用
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
GT40QR21(STA1,E,D
商品编号
C4153791
商品封装
TO-3P-3​
包装方式
管装
商品毛重
11克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
耗散功率(Pd)230W
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)40A
集电极脉冲电流(Icm)80A
集电极截止电流(Ices)1mA
集射极饱和电压(VCE(sat))2.7V@40A,15V
属性参数值
栅极阈值电压(Vge(th))7.5V
输入电容(Cies)1.5nF
开启延迟时间(Td(on))120ns
关断延迟时间(Td(off))200ns
关断损耗(Eoff)160uJ
反向恢复时间(Trr)600ns

商品特性

  • 第6.5代产品
  • RC - IGBT由一个在IGBT芯片中单片集成的续流二极管组成
  • 增强型模式
  • 高速开关:IGBT:关断时间tf = 0.20 μs(典型值)(集电极电流IC = 40 A);快恢复二极管:反向恢复时间trr = 0.60 μs(典型值)(正向电流IF = 15 A)
  • 低饱和电压:集电极 - 发射极饱和电压VCE(sat) = 1.9V(典型值)(集电极电流IC = 40A)
  • 高结温:结温Tj = 175°C(最大值)

应用领域

专用于电压谐振逆变器开关应用

数据手册PDF