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SD6287T

250V集成BSD三相桥高同相低反相栅极驱动芯片

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描述: 一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。有TSSOP20和QFN24封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。U3315/EG2133/CS57201
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: SD6287T
商品编号: C44606226
商品封装: TSSOP-20
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	15ns
	传播延迟 tpLH	150ns
	传播延迟 tpHL	120ns
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2.5V
	输入低电平(VIL)	800mV
	静态电流(Iq)	700uA
	功能特性	内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制

商品概述

SD6287是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺，使得高侧和低侧栅极驱动电路可以集成在单颗芯片上。它具有独立的高侧和低侧参考输出通道。其逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出级具备大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。该芯片的浮动通道可用于驱动高侧N沟道功率MOSFET，其浮地通道最高工作电压可达250V。SD6287T采用TSSOP20封装，SD6287Q采用QFN24封装，工作温度范围为-40℃ 至 125℃。

商品特性

支持自举工作的浮地通道
集成自举二极管
最高工作电压为 +250V
dV/dt耐受能力可达 +50V/ns
兼容3.3V/5V输入逻辑
Vs负偏压能力达 -9V
栅极驱动电压范围5V至20V
高侧和低侧均集成欠压锁定电路
欠压锁定正向阈值为4.5V
欠压锁定负向阈值为4.3V
具备防直通死区逻辑
死区时间设定为200ns
开通/关断传输延时Ton/Tof均为150ns
延迟匹配时间小于50ns
工作温度范围 -40~125℃
输出级拉电流/灌电流能力分别为1.0A/1.5A
符合RoHS标准

应用领域

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边；三相
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	6
	灌电流(IOL)	1.5A
	拉电流(IOH)	1A
	工作电压	5V~20V
	上升时间(tr)	40ns