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JSM2203STR

4A 250V集成自举半桥高同低反栅极驱动芯片

描述: JSM2203S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: JSM2203STR
商品编号: C44606289
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.158375克(g)

商品参数

商品概述

JSM2203S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V，该浮动通道需要额外的自举电路支持。另外，JSM2203S的高侧与低侧均包含有欠压保护功能。

商品特性

自举工作的浮地通道
最高工作电压为+250V
兼容3.3V,5V和15V输入逻辑
dVs/dt耐受能力可达±50V/ns
Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电压从6V到20V
防直通死区逻辑
- 死区时间设定250ns
芯片传输延时特性
- 开通/关断传输延时Ton/Toff = 150ns/150ns
- 延迟匹配时间50ns
宽温度范围-40°C - 125°C
输出级拉电流/灌电流能力4A/4A
符合RoSH标准
SOP - 8

应用领域

电机控制
伺服电机
DC - DC转换器
通用逆变器
充电桩

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A

	属性	参数值
	工作电压	6V~20V
	上升时间(tr)	50ns
	下降时间(tf)	40ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	120uA