温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

U3115S-JSM

1.2A 250V 单相高同低反栅极驱动芯片

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: U3115S是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 U3115S采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: U3115S-JSM
商品编号: C44606292
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1046克(g)

商品参数

商品概述

U3115S是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 U3115S采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V，该浮动通道需要额外的自举电路支持。另外，U3115S的高侧与低侧均包含有欠压保护功能。 U3115S的信号输入端口采用电平触发模式，即电压值符合逻辑要求，芯片即可正常工作。输出端口内部为推挽结构，用于直接驱动功率器件MOSFET/IGBT。低侧的输出端口参考地为COM，高侧的输出端口参考地为VS，其中VS为高压时，VB - VS之间的电压域需要通过自举电路供电才能正常工作。VS引脚具有一定的耐负脉冲能力，可以保证在 - 9V，50ns的脉冲条件下不发生损坏。 U3115S的低压区驱动器包含欠压保护电路，欠压保护电路可以监控电源电压(VCC)，在电压足以驱动外部MOSFET（达到相应预设阈值）之前，UVLO电路将抑制所有输出。当VCC引脚的电压上升至超过UVLO阈值之前，所有输出端口都保持低电平。

商品特性

自举工作的浮地通道
最高工作电压为 +250V
兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
dVs/dt耐受能力可达 ±50V/ns
Vs负偏压能力达 - 9V
栅极驱动电压从5V到20V
集成欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值4.4V
- 欠压锁定负向阈值4.2V
防直通死区逻辑
- 死区时间设定200ns
芯片传输延时特性
- 开通/关断传输延时Ton/Toff = 150ns/140ns
- 延迟匹配时间50ns
宽温度范围 - 40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力1.2A/1.5A
符合RoSH标准
SOP - 8

应用领域

电机控制
电动工具
通用逆变器
水泵/热泵控制器
电动车/平衡车

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

购买数量

(4000个/圆盘，最小起订量 5 个)

个

起订量：5 个4000个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交1单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	1.5A
	拉电流(IOH)	1.2A

	属性	参数值
	工作电压	6V~20V
	上升时间(tr)	50ns
	下降时间(tf)	40ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	190uA