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NCP5106ADR2G-JSM

700V集成自举单相高低侧同相栅极驱动芯片

描述: NCP5106A是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: NCP5106ADR2G-JSM
商品编号: C44606286
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1032克(g)

商品参数

商品概述

NCP5106A是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。采用SOP - 8封装，可以在 - 40°C至125°C温度范围内工作。

商品特性

集成自举二极管
最高工作电压为 + 700V
兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
dVₛ/dt耐受能力可达 ± 50V/ns
Vs负偏压能力达 - 9V
集成VCC欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值8.9V
- 欠压锁定负向阈值8.2V
芯片传输延时特性
- 开通/关断传输延时Ton/Toff = 130ns/130ns
- 延迟匹配时间50ns
宽温度范围 - 40°C ~ 125°C
输出级拉电流/灌电流能力300mA/600mA
符合RoSH标准
SOP - 8

应用领域

电机控制
工业自动化
通用逆变器
电源转换
PWM控制系统
谐振电路驱动

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	600mA
	拉电流(IOH)	300mA

	属性	参数值
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	75ns
	下降时间(tf)	35ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	120uA