温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

M81740FP-JSM

4A700V集成自举带SD功能栅极驱动芯片

描述: M81740FP是高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动系列芯片，具有单输入信号同时控制两个传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路、和防直通锁定电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: M81740FP-JSM
商品编号: C44606287
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1042克(g)

商品参数

商品概述

M81740FP是高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动系列芯片，具有单输入信号同时控制两个传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路、和防直通锁定电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。M81740FP采用SOP-8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

商品特性

集成自举二极管
最高工作电压为700V
兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
dV/dt耐受能力可达±50V/nsec
Vs负压耐受能力达-9V
栅极驱动电压：10V到20V
高、低侧欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值8.9V
- 欠压锁定负向阈值8.2V
防直通死区逻辑
- 内置400ns死区时间
芯片开通/关断传输延时
- Ton/Toff = 530ns/130ns
高低侧延时匹配
驱动电流能力：
- 拉电流/灌电流 = 4.0A/4.0A
符合RoSH标准
SOP-8

应用领域

电机驱动与控制
电动工具
通用逆变器
电源转换系统
伺服驱动器
冰箱/空调

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

购买数量

(4000个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个4000个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交1单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A

	属性	参数值
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	35ns
	下降时间(tf)	35ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	150uA