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ESDR0502BT1G
ESD 5V截止 峰值浪涌电流：2A@8/20us
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- 描述
- ESDR0502B旨在保护电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）造成的损坏，适用于需要超低电容以保持信号完整性的应用场景。它具备出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，同时二极管电容低至0.5 pF，能为集成电路（IC）提供一流的ESD防护。小型SC−75封装非常适合电路板空间有限的设计。ESDR0502B可用于保护两条单向线路或一条双向线路。当用于保护一条双向线路时，有效电容为0.25 pF。因其电容较低，非常适合保护高频信号线，如USB2.0高速信号线和天线线路。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- ESDR0502BT1G
- 商品编号
- C461789
- 商品封装
- SC-75(SOT-416)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 15V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 2A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 20W | |
| 击穿电压 | 5.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 双路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.5pF |
商品概述
ESDR0502B旨在保护电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）造成的损坏，适用于需要超低电容以保持信号完整性的应用场景。它具备出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，同时二极管电容低至0.5 pF，能为集成电路（IC）提供一流的ESD防护。小型SC−75封装非常适合电路板空间有限的设计。ESDR0502B可用于保护两条单向线路或一条双向线路。当用于保护一条双向线路时，有效电容为0.25 pF。因其电容较低，非常适合保护高频信号线，如USB2.0高速信号线和天线线路。
商品特性
- 典型电容低至0.5 pF
- 钳位电压低，泄漏电流小
- 小尺寸外形：0.063° x 0.063°（1.60 mm x 1.60 mm）
- 耐受电压：5 V
- 典型响应时间 <1.0 ns
- 符合IEC61000−4−2 4级ESD防护，ISO10605 330 pF/2 kΩ ±17 kV（接触放电）
- 汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用使用SZ前缀；符合AEC−Q101标准，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 无铅器件
应用领域
- USB2.0高速
- 天线线路