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DMP1200UFR4-7
1个P沟道 耐压:12V 电流:2A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP1200UFR4-7
- 商品编号
- C460053
- 商品封装
- X2-DFN1010-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0165克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 480mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 514pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
应用领域
-背光照明-负载开关