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DMP3036SFV-13
1个P沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在将导通电阻 $(R_{DS(ON)})$ 降至最低，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP3036SFV-13
- 商品编号
- C460054
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.076克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V；29mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@5V；16.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.931nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 168pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 226pF |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保将导通状态损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积，可使终端产品更小
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 负载开关
- 电源管理功能