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DSL12AW-7
PNP 电流:2A 电压:12V
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- 描述
- 特性：外延平面芯片结构。 适用于低功率放大和开关。 超小表面贴装封装。 无铅，符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 ESD等级：400V-MM，8KV-HBM
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DSL12AW-7
- 商品编号
- C460057
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.016克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 650mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 100@1A,1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 180MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 95mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |