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FCX591ATA

中功率晶体管 PNP 电流:1A 电压:40V

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描述
特性:BVCEO >-40V。 最大连续电流 IC =-1A。 低饱和电压 VCE(sat) <-500mV @-1A。 互补 NPN 型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。应用:功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 低损耗功率开关
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
FCX591ATA
商品编号
C460070
商品封装
SOT-89​
包装方式
编带
商品毛重
0.093克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)1W
直流电流增益(hFE)160
属性参数值
特征频率(fT)150MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV
工作温度-65℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)7V
数量1个PNP

商品特性

  • BVCEO > -40V
  • 最大连续电流 I₍C₎ = -1A
  • 低饱和电压 V₍CE(sat)₎ < -500mV(@ -1A)
  • 互补NPN类型:FCX491A
  • 完全无铅且完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件
  • 该器件符合JEDEC标准(作为AEC - Q中的参考),具有高可靠性
  • 有符合汽车标准的产品(FCX591AQ),其数据手册单独提供

应用领域

  • 功率MOSFET和IGBT栅极驱动
  • 低损耗功率开关

数据手册PDF