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FZT789ATA
PNP 电流:3A 电压:25V
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- 描述
- 特性：BVCEO >-25V。 IC =-3A 高持续电流。 低饱和电压 VCE(sat) <-250mV @-1A。 RCE(sat) = 93mΩ，低等效导通电阻。 hFE 指定至-6A，高增益保持。 互补 NPN 类型：FZT689B。应用：功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 电池供电电路
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- FZT789ATA
- 商品编号
- C460089
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 直流电流增益(hFE) | 200@2A,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
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