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2N7002BKW,115
1个N沟道 耐压:60V 电流:310mA
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- 描述
- N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT323 (SC- 70) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- 2N7002BKW,115
- 商品编号
- C455035
- 商品封装
- SC-70
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 310mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 275mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管(FET),封装为小型SOT323(SC - 70)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 开关速度极快
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护高达2 kV
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路