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ICPL-332J-500EAXW
2.5A，IGBT光电耦合器
- 描述
- 智能IGBT栅极驱动光耦，峰值电流2.5A，隔离电压(rms): 5KV，SOP16
- 商品型号
- ICPL-332J-500EAXW
- 商品编号
- C42432176
- 商品封装
- SOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动光耦 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 通道数 | 1 | |
| CMTI(kV/us) | 50kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | 30V | |
| 峰值输出电流 | 2.5A | |
| 传播延迟 tpHL | 250ns | |
| 传播延迟 tpLH | 250ns | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 600mW | |
| 工作温度 | -40℃~+110℃ | |
| 正向压降(Vf) | 2V | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 正向电流(If) | 20mA | |
| 下降时间(tf) | 14ns | |
| 上升时间(tr) | 22ns | |
| 功能特性 | IGBT软关断；有源米勒钳位；退饱和检测；带滞后的欠压锁定 |
商品概述
该器件包含一个铝镓砷发光二极管，该二极管通过光耦合至一个带有功率输出级的集成电路。它特别适用于驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200V、电流高达150A的绝缘栅双极晶体管。对于更高额定值的绝缘栅双极晶体管，该器件可用于驱动一个分立式功率级，再由该功率级驱动绝缘栅双极晶体管的栅极。该器件的绝缘电压为VIORM = 1414VPEA。
商品特性
- 最大峰值输出电流为2.5A
- 最小峰值输出电流为2.0A
- 在整个工作温度范围内，最大传播延迟为250ns
- 1.7A有源米勒钳位。若未使用，钳位引脚可短接至VEE
- 米勒钳位功能
- 去饱和检测功能
- 带滞回的欠压锁定保护
- 集电极开路隔离故障反馈
- “软”关断绝缘栅双极晶体管
- 最大脉冲宽度失真为100ns
- 在VCM = 1500V时，最小共模抑制比大于50kV/μs
- 最大电源电流小于4.5mA
- 宽VCC工作电压范围：在整个温度范围内为15V至30V
- 宽工作温度范围：-40 ~ 110℃
应用领域
- 隔离式绝缘栅双极晶体管/功率金属氧化物半导体场效应晶体管栅极驱动
- 交流和无刷直流电机驱动
- 工业逆变器和不间断电源