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PJM2304NSA
N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- N沟道，VDS=30V ID=3.6A ,PD:0.9W RDS(ON)<58mΩ@Vgs=10V
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM2304NSA
- 商品编号
- C42431771
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 230pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF |
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和低导通电阻RDS(on)
- 高功率和高电流处理能力
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理
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