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6N136-500E-AXW
高隔离度光电耦合器
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- 描述
- 输入类型:DC，数据速率: 1Mbit/s,隔离电压(rms): 5kV，共模瞬变抗扰度CMTI: 1kV/us,SMD8
- 商品型号
- 6N136-500E-AXW
- 商品编号
- C42432271
- 商品封装
- SMD-8P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8436克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 逻辑输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 工作电压 | -500mV~30V | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV | |
| CMTI(kV/us) | 1kV/us | |
| 传输速率 | 1Mbit/s | |
| CTR-电流传输比 | 15% | |
| 通道数 | 1 | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 传播延迟 tpLH | 1.5us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpHL | 1.5us | |
| 输入阈值电流(FH) | 5mA | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 输出电压 | 20V | |
| 正向压降(Vf) | 1.45V | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 正向电流(If) | 25mA | |
| 功能特性 | 开集电极输出 |
商品概述
6N135、6N136系列将AlGaAs红外发射二极管作为发射器，与硅高速光晶体管进行光耦合，封装在具有不同引脚成型选项的塑料DIP8封装中。光电二极管和晶体管之间的独立设计降低了输入晶体管的基极-集电极电容，使其速度比传统光电晶体管光耦合器提高了数个数量级。
商品特性
- 高隔离度5000 VRMS
- 直流输入，晶体管输出
- 工作温度范围 -40 °C ~ 100 °C
- 符合RoHS和REACH标准
- 无卤素（可选）
- MSL等级1
- 符合UL-UL1577、VDE - EN60747-5-5(VDE0884-5)、CQC-GB4943.1认证
应用领域
- 线路接收器
- 电信设备
- 与CMOS、LSTTL、TTL的接口
- 宽带模拟耦合
- 脉冲变压器替代
- 计算机外围设备接口
- 6N137-500E-AXW
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