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6N139-500E-AXW实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

6N139-500E-AXW

高速光耦

描述
输入类型:DC,隔离电压(rms): 5kV,传播延迟tpLH/tpHL: 60us;25us,共模瞬变抗扰度CMTI: 1kV/us, SMD8
商品型号
6N139-500E-AXW
商品编号
C42432274
商品封装
SMD-8P​
包装方式
编带
商品毛重
0.8302克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录逻辑输出光耦
输入类型DC
工作电压-500mV~18V
隔离电压(Vrms)5kV
CMTI(kV/us)1kV/us
CTR-电流传输比400%
通道数1
工作温度-40℃~+100℃
属性参数值
传播延迟 tpLH90us
传播延迟 tpHL30us
输入阈值电流(FH)5mA
输出电流60mA
耗散功率(Pd)200mW
输出电压18V
正向压降(Vf)1.28V
功能特性-

商品概述

6N138和6N139系列将AlGaAs红外发射二极管作为发射器,与硅高速光达林顿晶体管通过光耦合方式集成在塑料DIP8封装内,并提供不同的引脚成型选项。光电二极管和达林顿晶体管之间的独立设计降低了输入晶体管的基极-集电极电容,使其速度比传统光晶体管光耦合器提高了数个数量级。

商品特性

  • 高隔离度 5000 V_RMS
  • 直流输入,晶体管输出
  • 工作温度范围 -40°C 至 100°C
  • 符合REACH标准
  • 无卤素(可选)
  • MSL等级 1

应用领域

  • 低电流线路接收器
  • 输出接口至CMOS-LSTTL-TTL

数据手册PDF