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PJM3018NSA
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- N沟道，VDS=30V ID=0.5A ,PD:0.35W RDS(ON)<3Ω@Vgs=10V,带ESD保护
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM3018NSA
- 商品编号
- C42431774
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0242克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻(RDS(ON))
- 表面贴装封装
- 静电放电(ESD)保护(人体模型(HBM))高达2KV
- 在栅源电压(VGS)为10V时,漏源导通电阻(RDS(on))小于3Ω
应用领域
- 开关应用