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PJM2306NSA
N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- N沟道，VDS=30V ID=3.5A ,PD:0.7W RDS(ON)<47mΩ@Vgs=10V
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM2306NSA
- 商品编号
- C42431772
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0238克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 230pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF |
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和低导通电阻RDS(on)
- 低反向传输电容
应用领域
- 脉宽调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理
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