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PJM2312JNSA
N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- N沟道，VDS=20V ID=6A ,PD:1W RDS(ON)<25mΩ@Vgs=4.5V
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM2312JNSA
- 商品编号
- C42431770
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 688pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF |
商品特性
- 先进沟槽技术
- 符合RoHS和REACH标准
- 无卤素和锑
- 湿度敏感度等级3
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理