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8205A-TD
20V 6A
- 描述
- 特性：Die in 8” Wafer Form。 20V, 6A*, N-channel。 Sampling Tested at Probe。 专有的先进平面技术。 高密度超低电阻设计。 大功率、大电流应用。应用：便携式设备。 电池供电系统
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- 8205A-TD
- 商品编号
- C42421789
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道；2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W；1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV；500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V；15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF |
商品特性
- 专有的先进平面技术
- 高密度超低电阻设计
- 大功率、大电流应用
- 理想的锂电池应用
- 封装形式:SOT23-6.TSSOP8
应用领域
- 便携式设备
- 电池供电系统