商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道；1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A；5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF |
商品概述
9435-TD采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -5A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 55 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源