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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道；1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 12A；12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；2.5W |
商品概述
AO4407采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 30V ID = - 12A
- RDS(ON) < 15mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源