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AO4407-TD
P沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和开关应用
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- AO4407-TD
- 商品编号
- C42421811
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.94nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AO4407采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 30V ID = - 12A
- RDS(ON) < 15mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源