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AO3401-TD
P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
- 描述
- 该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压20V，可承载3A电流。具备低导通电阻与快速开关特性，应用于充电器、电源转换等场合，提供高效能、稳定可靠的功率控制方案，是各类电子设备的理想选择。
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- AO3401-TD
- 商品编号
- C42421810
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033467克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 高功率和大电流处理能力
- 表面贴装封装
应用领域
- 电源管理
- 负载开关