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DOW9N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:9A
- 描述
- N管/30V/9A/25mΩ/(典型18mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOW9N03
- 商品编号
- C42395833
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1555克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 471pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压 = 30 V，漏极电流 = 9 A，栅源电压 = 10 V 时，漏源导通电阻 < 25 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻
- 封装散热性能良好