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DOD60P03
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- N管/30V/60A/7.5mΩ/(典型5.7mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD60P03
- 商品编号
- C42395894
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 342pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -30 V,ID = -60 A,在 VGS = -10 V 时,RDS(ON) < 7.5 m Ω
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低的RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的优质封装。