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DOP60N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
- 描述
- N管/100V/60A/17.5mΩ/(典型14.5mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOP60N10
- 商品编号
- C42395905
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6427克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.968nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 70 V，漏极电流（ID） = 70 A，当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 8.5 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）。
- 出色的封装，具备良好的散热性能。
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