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DOD120P02
1个P沟道 耐压:20V 电流:120A
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- 描述
- P管/-20V/-120A/3mΩ/(典型2.4mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD120P02
- 商品编号
- C42395893
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 99nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.999nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.067nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20 V,漏极电流(ID) = -120 A,当栅源电压(VGS) = -4.5 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 3 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))。
- 封装散热性能出色。