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DOD9N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:9A
- 描述
- N管/200V/9A/300mΩ/(典型220mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD9N20
- 商品编号
- C42395890
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 82W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的平面技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(on)。它可应用于多种领域。
商品特性
- 漏源电压VDS = 200 V,漏极电流ID = 9 A,在栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 0.3 Ω
- 栅极电荷低
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能优异
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源（UPS）