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DOD50P02
1个P沟道 耐压:20V 电流:50A
- 描述
- P管/-20V/-50A/10mΩ/(典型7mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD50P02
- 商品编号
- C42395892
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在栅极电荷较低的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20 V，漏极电流（ID） = -50 A，在栅源电压（VGS） = -10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 10 mΩ
- 栅极电荷低
- 提供环保器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好