温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DOW16P02
1个P沟道 耐压:20V 电流:16A
- 描述
- P管/-20V/-16A/16mΩ/(典型12mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOW16P02
- 商品编号
- C42395888
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1648克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.786nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 179pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS)= -20 V,漏极电流(ID)= -16 A,当栅源电压(VGS)= -4.5 V时,导通电阻(RDS(ON))= 16 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))。
- 采用散热性能良好的出色封装。
应用领域
- DC/DC转换器-UPS系统-交流电机控制-太阳能应用-DC/DC转换器-UPS系统-交流电机控制-太阳能应用