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CA-IS3213MCG
CA-IS3213MCG
- 描述
- CA-IS3213 是一系列基于电容隔离的单通道栅极驱动器，可用于驱动 SiC、IGBT 和 MOSFET 器件。器件具有出色的动态性能和高可靠性，同时具有高达 ±15A 峰值的拉/灌电流能力。 器件通过 SiO₂ 电容隔离技术实现控制侧与驱动侧的电气隔离，支持 1.5kV_RMS 的隔离工作电压、12.8kV_PK 浪涌抗扰度，额定工作电压下隔离栅寿命超过 40 年，同时具有良好的器件一致性以及 >150V/ns 的共模瞬态抗扰度（CMTI）。
- 品牌名称
- Chipanalog(川土微)
- 商品型号
- CA-IS3213MCG
- 商品编号
- C42370074
- 商品封装
- SOIC-8-WB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.481215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 隔离电压(Vrms) | 5700 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入侧工作电压 | 3V~5.5V | |
| 拉电流(IOH) | 15A | |
| 灌电流(IOL) | 15A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 上升时间(tr) | 30ns | |
| 下降时间(tf) | 30ns | |
| 传播延迟 tpLH | 130ns | |
| 传播延迟 tpHL | 130ns | |
| CMTI(kV/us) | 150kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | 13V~33V |
商品概述
CA-IS3213 是一系列基于电容隔离的单通道栅极驱动器，可用于驱动 SiC、IGBT 和 MOSFET 器件。器件具有出色的动态性能和高可靠性，同时具有高达 ±15A 峰值的拉/灌电流能力。 器件通过 SiO₂ 电容隔离技术实现控制侧与驱动侧的电气隔离，支持 1.5kV_RMS 的隔离工作电压、12.8kV_PK 浪涌抗扰度，额定工作电压下隔离栅寿命超过 40 年，同时具有良好的器件一致性以及 >150V/ns 的共模瞬态抗扰度（CMTI）。 器件控制和驱动侧电源 UVLO，同时针对 SiC 和 IGBT 开关行为进行了优化，并提高了可靠性。此外，CA-IS3213MCG 内置 4A 峰值电流有源米勒钳位；CA-IS3213VCG 外置 COM 脚，便于隔离驱动侧正负电源供电；CA-IS3213SCG 采用 OUTH 和 OUTL 分离输出配置。 全系列采用 SOIC8-WB 宽体封装，爬电距离和间隙距离大于 8mm。
商品特性
- 5.7kV_RMS 耐压等级的单通道隔离栅极驱动器
- 33V 最大输出驱动电压（VDD–VEE）
- ±15A 峰值驱动电流能力
- CA-IS3213MCG 版本具有：内置 4A 峰值电流有源米勒钳位
- CA-IS3213VCG 版本具有：外置 COM 脚，便于隔离驱动侧正负电源供电
- CA-IS3213SCG 版本具有：OUTH 和 OUTL 分离输出配置
- 高共模瞬态抗扰度：150V/ns（最小值）
- 输入引脚上 40ns（典型值）瞬态和脉冲抑制功能
- 隔离驱动侧 VDD 供电包含 12V UVLO 功能
- 延时特性：
- 130ns（最大值）传播延迟
- 30ns（最大值）脉宽失真
- 30ns（最大值）器件间延时匹配
- SOIC8-WB 宽体封装，爬电距离和间隙距离 >8mm
- 额定工作电压下隔离栅寿命大于 40 年
- 工作结温（TJ）范围：-40°C 至 150°C
- 安全认证：
- VDE 增强隔离，根据 DIN EN IEC60747-17 (VDE 0884-17): 2021-10 认证
- 根据 UL1577 认证，5.7kV_RMS 隔离耐压 @1 分钟
- 根据 CQC GB 4943.1-2022 认证
应用领域
- 光伏逆变器
- 储能变流器
- 工控电机控制器
- 充电桩功率模块
- UPS 及工业电源等
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