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CA-IS3221AN
6A灌电流/5A拉电流、3.75kVRMs隔离双通道栅极驱动器
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- 描述
- CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。 所有器件采用电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
- 品牌名称
- Chipanalog(川土微)
- 商品型号
- CA-IS3221AN
- 商品编号
- C42370075
- 商品封装
- SOIC-16-NB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.691216克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 隔离电压(Vrms) | 3750V | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 通道数 | 2 | |
| 输入侧工作电压 | 3V~18V | |
| 拉电流(IOH) | 5A | |
| 灌电流(IOL) | 6A | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) | |
| 上升时间(tr) | 16ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 12ns | |
| 传播延迟 tpLH | 100ns | |
| 传播延迟 tpHL | 100ns | |
| 输入高电平(VIH) | 1.6V~2V | |
| 输入低电平(VIL) | 0.8V~1.2V | |
| 静态电流(Iq) | 1.5mA | |
| CMTI(kV/us) | 100kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | 8V~25V | |
| 功能特性 | 死区时间控制 |
商品概述
CA-IS3221为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供6A峰值灌电流、5A峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为MOSFET、IGBT、SiC等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。 所有器件采用电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。输入侧与驱动器输出侧通过二氧化硅电容绝缘栅隔离，提供高达3.75kV_RMS(窄体SOIC封装),以及最小100V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI)。此外，内部电路在二次侧(输出侧)的驱动器A与驱动器B之间提供功能隔离，可承受1500VDC工作电压。可以配置为双通道低边驱动、双通道高边驱动和半桥驱动，提供可编程死区时间。输入侧电源V_CCI可接受3Vto18V供电范围，输出侧电源V_DD可接受高达25V的供电电压。工作温度范围为-40°C至+125°C。
商品特性
- 灵活支持多种配置：双通道低边驱动、双通道高边驱动、半桥驱动支持6A峰值灌电流、5A峰值拉电流驱动
- 较宽的供电范围：输入侧V_CCl可接受3V至18V供电电压范围，输出侧驱动电源V_DD可达25V，
- 确保匹配的传输延迟：56ns(典型值)传输延迟，5ns(最大值)芯片间传输延迟偏差，14ns(最大值)脉宽失真，20ns(典型值)最小输入脉宽
- 可编程死区时间
- -40°C至+125°C工作温度范围
- 高度可靠的电气隔离：较长的绝缘栅寿命：>40年，3.75kV_RMS(窄体封装)隔离耐压
- 较高的共模瞬态抗扰度(CMTI)：>±100V/ns
- 可承受8kV浪涌
- 环保封装：窄体SOIC16(N)封装
应用领域
- 隔离型DC-DC、AC-DC转换器
- 电机控制
- LED照明
- 不间断电源(UPS)逆变器
- HEV/EV电池充电器