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WSD40110DN56G
1个N沟道 耐压:40V 电流:110A
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- 描述
- WSD40120DN采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性，适用于……
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD40110DN56G
- 商品编号
- C3825095
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.81nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ME3424D是采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑电源管理，以及其他需要在超小外形表面贴装封装中进行高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路。
商品特性
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) ≤ 28 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) ≤ 42mΩ
- 静电保护
- 超高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-便携式设备-负载开关