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WSD40110DN56G
1个N沟道 耐压:40V 电流:110A
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- 描述
- WSD40120DN采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性，适用于……
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD40110DN56G
- 商品编号
- C3825095
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.81nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WSD40120DN采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具有更好的耐用性,适用于
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)和品质因数FOM
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性,适用于逆变器
应用领域
-消费电子电源-同步整流应用